Name: 用于研究應用的Si帶電粒子輻射探測器
Price: 面議 CNY
Availability: InStock

ORTEC提供各種耗盡厚度的硅面壘型探測器，可滿足眾多研究應用的需求。

*所有分辨率測量均在21±1°C下執(zhí)行和保證。

**用5.486-MeV天然α粒子測量。

	A 系列	B 系列
主要應用	高分辨率帶電粒子光譜測量（核物理與放射化學，空間物理學）	粒子識別、望遠鏡探測器（核物理與放射化學，空間物理學）
探測器類型	部分耗盡的硅面壘	全耗盡的硅面壘
初始材料	Si	Si
有效面積范圍 (mm²)	25-450	50-450
有效厚度范圍 (µm)	1000-2000	150-2000
保證工作溫度范圍*	+25°C 至 –30°C	+25°C 至 –30°C
二極管結(jié)構(gòu)	金 - N型硅鋁部分耗盡	金 - N型硅鋁全耗盡
標稱等效窗口的截止能量**	入口 800 Å Si	入口 800 Å Si 出口 2250 Å Si

	C 系列	D 系列
主要應用	從準直光源或光束的反向散射 - 角度相關(guān)測量（核物理）	重離子的飛行時間測量（核物理）
探測器類型	環(huán)形部分耗盡的硅面壘	平面全耗盡的硅面壘
初始材料	Si	Si
有效面積范圍 (mm²)	50-450	10-450
有效厚度范圍 (µm)	100-1000	15-100
保證工作溫度范圍*	25°C 至 –30°C	10°C 至 25°C
二極管結(jié)構(gòu)	金 - N型硅鋁部分耗盡	金 - N型硅鋁全耗盡平面
標稱等效窗口的截止能量**	入口 800 Å Si 出口 2250 Å Si	入口 800 Å Si 出口 2250 Å Si

用于研究應用的Si帶電粒子輻射探測器